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　　日前，合肥安海半导体股份有限公司（简称安海半导体）秘书，其研发的6.5kV/40mΩ与10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片获浙江大学电气工程学院践诺进修和中国科学院电工商议所高频场控功率器件及装配产物性量进修中心现场见证测试通过，并已终了量产，两款产物良率均冲破80%大关开云体育，绮丽着中国企业在超高压碳化硅范畴达到宇宙最初水平。手脚第三代半导体材料的中枢垄断，碳化硅器件因高功率密度、耐高压高温、寂寞耗等上风，在智能电网、高端装备等范畴具有遑急政策价值，而6.5kV及以上超高压碳化硅器件的制造存在工艺难度大、量产良率低等行业痛点。安海半导体依托深厚技能鸠集及险阻游协同配合，成功攻克这一艰巨，成为各人率先以高良率量产上述两款超高压芯片的厂商之一。

　　检测陈说显现，本次量产的两款芯片性能领路高出，秘籍高端电力电子高压垄断区间。两款产物均终了超高耐压与低导通损耗的双重上风，为高压直挂垄断提供了理念念中枢器件。这一冲破将编削多个高附加值行业电气架构：在绿色船舶与高铁交通范畴，可权贵镌汰牵引系统损耗，减小开垦体积和分量，助力交通运载范畴绿色变革；在新式配电与算力供电范畴，手脚高压直挂固态变压器中枢元件，可复古智能电网建树，同期简化算力中心供电架构，打造节能型绿色算力基础身手；在高压柔性直流输电范畴，其垄断可将传统串联器件数目减少60%以上，简化系统结构，助力我国电力装备产业开脱对入口IGBT器件的依赖，终了“换谈超车”。

　　安海半导体认真东谈主黄昕暗示，这次10kV芯片高良率量产，终显著我国在该范畴从“跟跑”到“领跑”的跨越，翌日将连续拓展高压碳化硅垄断鸿沟，积极激动“产学研用”转换体系，提供更优质的功率管束决策，工作国度紧要政策需求、赋能产业升级。

　　现在，安海半导体首批10kV碳化硅MOSFET芯片已成功出货。黄昕暗示，安海半导体正携部属游头部客户，加快激动器件封装、运行等关系技能逾越开云体育，推动该芯片在船舶、高铁、算力中心及智能电网等范畴的垄断落地。